中科大先研院研究生校内导师简历
王进红 博士/教授
| 姓名 | 王进红 |
| 学位/职称 | 博士/教授 |
| 所属单位 | 中国科学技术大学先进技术研究院/中国科学技术大学物理学院 |
| 办公室电话 | 0551-63603114 |
| jinhongwang@ustc.edu.cn | |
| 教育背景 |
2003.9–2007.7: 本科,中国科学技术大学 物理学院 2007.9–2012.6: 硕博连读,中国科学技术大学 物理学院 |
| 研究领域 |
1. 快电子学及专用集成电路技术 2. 面向低温物理应用的专用集成电路 |
| 任职经历 |
2013.3–2016.2: 博士后研究员,美国密西根大学 物理系 2016.3–2022.3: 高级工程师,美国密西根大学 物理系 2022.5–至今: 特任教授,中国科学技术大学 物理学院 |
| 获得荣誉、奖项 |
1. Rising Star Award Natural Sciences (美国密西根大学 LSA,2018) 2. 中国科学院院长奖,2012 |
| 主持、参与项目 |
1. 国家创新人才青年项目(2022.12-2025.11),结题,主持 2. 超级陶粲装置关键技术攻关(2022.01-2026.08),在研,子课题负责人 3. 电流量子计量关键技术攻关 (2025.01-2026.12),在研,子任务负责人 |
| 论文、著作、成果 |
[1] A. Tan, C. Wang, G. Chen, J. Ning, X. Hu, F. Liang, X. Wang, J. Wang, and S. Liu, “Carrier mobility in a 55-nm CMOS at 4 K: Characterization, modeling, and circuit implications,” IEEE Trans. Electron Devices, early access, Feb. 2, 2026. (唯一通讯) [2] A. Tan, C. Wang, G. Chen, J. Ning, X. Hu, F. Liang, X. Wang, J. Wang, and S. Liu, “An effective mobility extraction methodology for cryogenic MOSFETs at 4 K,” IEEE Electron Device Lett., vol. 47, no. 3, pp. 438–441, Mar. 2026. (唯一通讯) [3] G. Chen, A. Tan, C. Wang, J. Ning, X. Hu, F. Liang, X. Wang, J. Wang, and S. Liu, “Comparative study of threshold voltage extraction methods for 55 nm CMOS technology at liquid helium temperature,” Cryogenics, vol. 152, 104208, 2025. (唯一通讯) [4] C. Chen, J. Wang, X. Hu, and S. Liu, “Evaluation of an LC-VCO-based ADC architecture with a tapped-delay-line phase quantizer,” IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 72, no. 4, pp. 1572–1582, Apr. 2025. (唯一通讯) [5] C. Chen, J. Wang, X. Hu, and S. Liu, “A hybrid RO-TDL-based on-chip voltage monitor for FPGA applications,” IEEE Trans. Very Large Scale Integr. (VLSI) Syst., vol. 33, no. 5, pp. 1384–1395, May 2025, doi: 10.1109/TVLSI.2024.3509439. (唯一通讯) |
编辑:徐若兰 2026-03-09 14:45:43
