中科大先研院研究生校内导师简历

龙世兵 博士/教授

姓名 龙世兵
学位/职称 博士/教授
所属单位 中国科学技术大学先进技术研究院/中国科学技术大学微电子学院
办公室电话 0551-63603047
Email shibinglong@ustc.edu.cn
教育背景
1995.09--1999.07,北京科技大学物理系应用物理专业本科生;

1999.09--2002.03,北京科技大学材料物理系材料物理与化学专业硕士研究生。

2002.04--2005.06,中国科学院微电子研究所,微电子学与固体电子学专业博士研究生。
研究领域

宽禁带半导体功率电子器件和紫外探测器、存储器
任职经历
2005.07--2018.03,中国科学院微电子研究所,助理研究员、副研究员、研究员;

2011.02--2012.02,西班牙巴塞罗那自治大学,访问学者;

2019.03--至今,中国科学技术大学,教授,国家示范性微电子学院执行院长。
获得荣誉、奖项
2018年,中国科学院杰出科技成就奖,新型存储器件及集成研究集体,突出贡献者;

2016年,国家自然科学奖,二等奖,氧化物阻变存储器机理与性能调控,排名4/5;

2013年,国家技术发明奖,二等奖,高精度微纳结构掩模制造核心技术,排名6/6;

2015年,中国电子学会科学技术奖,自然科学类一等奖,阻变存储器机理与性能调控,排名5/15;

2010年,北京市科学技术奖,一等奖,微纳结构“自上而下” 制备核心技术与集成应用,排名5/15;

2014年,北京市科学技术奖,二等奖,阻变存储器及集成的基础研究,排名4/15;

2013年,国家自然科学基金优秀青年科学基金项目获得者,新型非挥发性阻变存储器。
主持、参与项目
2017-2022, 超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件基础研究, 中科院前沿科学重点项目,项目负责人;

2018-2020, 纳米阻变存储器的机理、表征和应用研究创新交叉团队, 中科院创新交叉团队项目,项目负责人;

2016-2021, 纳米阻变存储器的三维集成, 国家重点研发计划课题,课题负责人;

2009-2012, 32nm RRAM关键工艺和技术, 国家科技重大专项子课题,子课题负责人;

2009-2011, 基于二元金属氧化物的阻变存储器, 863项目,项目负责人;

2008-2010, 离子束溅射与刻蚀系统, 中国科学院重大科研装备研制项目,项目负责人。
论文、著作、成果
在IEEE EDL/TED、Nat. Commun.、Adv. Mater.、Small、Adv. Electron. Mater.等期刊上发表SCI论文100余篇;SCI他引600余次,H因子43;5篇论文入选ESI高被引论文。

获得授权发明专利63项;9项授权中国发明专利转移给中芯国际公司;74项授权/受理中国发明专利许可给武汉新芯公司。

编辑:徐若兰 2022-10-26 22:02:31