中科大先研院研究生校内导师简历

许中广 特任教授

姓名 许中广
学位/职称 特任教授
所属单位 合肥中科微电子创新中心有限公司
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教育背景
2005年-2009年,中国科学技术大学,应用物理系学士(优秀毕业生)
2009年-2012年,中国科学院微电子所,微电子学与固体电子学硕士
2012年-2016年,美国加州大学河滨分校,电气工程学博士
研究领域
基于新材料新原理的存储级内存(SCM)器件的设计与制备、三维架构内存、闪存器件与芯片、面向AI加速的智能存储系统集成、存算一体的器件及架构设计等。
任职经历
2016年-2019年, 美国西部数据公司,资深NAND器件研发工程师
2019年-2024年, 美国美光公司,首席闪存架构师
2024年-至今,中国科学技术大学微电子学院,特任教授
获得荣誉、奖项
  
主持、参与项目

                    
论文、著作、成果
1.许中广等, “Large-area growth of multi-layer hexagonal boron nitride on polished cobalt foils by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Sci. Reps., 7, 43100(2017). 
2.许中广等, “Direct growth of graphene-hexagonal boron nitride structures on cobalt foil by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Appl. Phys. Lett, 109, 043110(2016).
3.左政*, 许中广*等, “In-situ epitaxial growth of graphene/h-BN van der Waals heterostructures by molecular beam epitaxy”, Sci. Reps., 5, 14760(2015).* 共一作.
4.许中广等, “Direct growth of graphene on in situ epitaxial hexagonal boron nitride flakes by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Appl. Phys. Lett, 107, 213103(2015).
5.许中广等, “Effects of high temperature O2 annealing on Al2O3 blocking layer and Al2O3/Si3N4 interface for MANOS structure”, J. Phys. D: Appl. Phys., 45, 185103(2012).
6.许中广等, “Improved performance of non-volatile memory with Au-Al2O3 core-shell nanocrystals embedded in HfO2 matrix”, Appl. Phys. Lett, 100, 203509(2012).
7.许中广等, “Performance-improved non-volatile memory with aluminium nanocrystals embedded in Al2O3 for high temperature applications”, J. Appl. Phys., 110, 104514(2011).
8.Adapting an error recovery process in a memory sub-system, US11763914B2
9.Managing execution of scrub operations in a memory sub-system, US11861178B2
10.Adaptive frequency control for high-speed memory devices, US011449377B2
11.Dynamic voltage setting optimization during lifetime of a memory device, US011740959B2
12.Managing an adaptive data path selection threshold for a memory sub-system, US20230207028A1
13.Reliability health prediction by high-stress seasoning of memory devices, US11238950B1
14.Partial block handing in a non-volatile memory device, US011901014B2
15.一种多功能非易失存储器制备方法,CN102651233B
16.一种多位存储器的制备方案,CN102693984B
17.混合型非易失存储器,CN102779550B

编辑:曹利 2025-03-19 15:03:30